製品概要
概要
Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.
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特徴
- Very low on-resistance
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Avalanche ruggedness
- High speed switching
- Very low intrinsic capacitances
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
Resource title | バージョン | Latest update |
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SPICE models (1)
Resource title | バージョン | Latest update | ||
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ZIP | 2.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STW9N150 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | - | - | CHINA | |
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。