製品概要
概要
This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative STMESH trench T technology, suitable for medium to high-voltage MOSFETs. It features outstanding low on-resistance and reduced gate charge values, thus minimizing conduction losses. The product delivers excellent switching performance and robust avalanche capability. The T series is designed for high power density applications, ensuring the highest efficiency standards.
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機能一覧
- Very low FOM (RDS(on)·Qg)
- Excellent stability and uniformity
- Low gate charge, input capacitance and resistance
- Exellent switching performance
- 100% avalanche tested
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STWA60N028T
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 21 Feb 2025 | 21 Feb 2025 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STWA60N028T | Active 交換品交換品 | TO-247 long leads | Industrial | Ecopack2 | - | - | |
STWA60N028T
Package:
TO-247 long leadsMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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| STWA60N028T | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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