600V STMESHトレンチT高電圧MOSFETシリーズは、高電圧MOSFET向けのST最新の革新的なテクノロジーになります。トレンチTシリーズは、ディープ･トレンチ･テクノロジーを用いてエピタキシャル層をエッチングし、充填することで製造される初の12インチ･スーパージャンクションMOSFETです。設計者は、その低いオン抵抗と低いゲート電荷とによって、よりコンパクトなシステム･ソリューションを実現でき、電力密度を高めることができます。Tシリーズは、スイッチング損失を最小化すると同時に堅牢なアバランシェ耐性を提供する、非常に優れたスイッチング性能に最適化されています。このシリーズは、PFCパワー･ステージで採用されているようなハード･スイッチング･トポロジにおいて、新たなベンチマークとなります。
トレンチTシリーズは、パッケージごとに、従来のMDmesh M6シリーズ･テクノロジーよりも、より低いドレイン-ソース間のオン抵抗のラインアップを提供します。
アプリケーション
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メリット
- 幅広い電力アプリケーションに対応するコストと性能のバランス
- マルチドレイン･テクノロジーと比較して、プロセスの複雑性の低減
- より多くのキャパシティとより短いサイクル･タイム
注目ビデオ
ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.