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STWA75N60DM6

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N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long leads package

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  • These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS12280
      N-channel 600 V, 32 mΩ typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages       		3.0
      325.53 KB
      		PDF
      DS12280

      N-channel 600 V, 32 mΩ typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode       		1.0
      834.68 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STWA75N60DM6 pSpice Model 1.0
      10.2 KB
      		ZIP

      STWA75N60DM6 pSpice Model

      ZIP

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      		600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness 1.0
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      		TO-LL: the latest evolution in SMD power packages STPOWER MOSFET SJ MDmesh M6 and DM6 1.0
      471.84 KB
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      600 - 650 V MDmesh DM6: Fast-recovery body diode SJ MOSFETs

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品質 & 信頼性

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STWA75N60DM6
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TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STWA75N60DM6

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Industrial

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STWA75N60DM6

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パッケージ

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7.38 / 1k

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