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PFC(力率改善)回路や、オンボード・チャージャ、およびモータ・ドライブに最適なSTの車載用SiCダイオードは、高いサージ耐性(IFSM)による優れた堅牢性を特徴とします。650Vパワー・ショットキー車載用SiCダイオードは、きわめて低いスイッチング損失を特徴としています。また、低VF SiCダイオード シリーズでは、最高速の600Vファストリカバリ・シリコン・ダイオードと比べ、VF が少なくとも150mV改善されています。パッケージは、TO-220AC、DO-247、およびTO-247で提供されています。また、AEC-Q101に準拠しており、ご要望に応じてPPAPにも対応可能です。

2020年末には、1200Vの車載用SiCダイオードの新製品 (6A~20A) がさまざまなパッケージで提供される予定です。 

Performance comparison curve between 600 V Si, Ultrafast tandem and Si diodes

1200 V SiC automotive-grade diodes with the lowest forward voltage drop ever

The  new AEC-Q101 1200 V SiC diodes – 10-, 15- and 20-amp rated – are ideal for use in high-power applications such as charging stations, OBC, power supplies, and motor drives. Their surge capability for a 10 ms pulse is in the range of 7 times the diodes’ nominal current, and confers these 1200 V silicon-carbide diodes the state-of-the-art robustness. With a typical forward voltage drop (V F) of 1.35 V at nominal current and room temperature, they set the highest level/standard on the market. Available in D²PAK and TO-220AC packages, the  STPSC10H12-YSTPSC15H12-Y and  STPSC20H12-Y fulfill the automotive robustness and performance requirements.


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Thermal-electrical Simulators for Components

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