主な課題
ソリッド･ステート回路ブレーカ（SSCB）は、機械的接点に比べてオン抵抗が高いため、発熱量が増え、冷却要求が高まります。高出力アプリケーションでは、電圧と電流の制約を管理するために直列構成または並列構成が必要になることが多く、DCシステムにおける双方向の電流の流れが設計を複雑にします。これらのデバイスは過電流に敏感であるため、短絡回路の堅牢性や熱暴走が懸念されます。さらに、SSCBは高出力システムにおいて初期コストが高くなる傾向があり、その高速スイッチング動作は大きな電磁干渉（EMI）を引き起こす可能性があります。
これらの問題の多くは、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）のようなワイド･バンドギャップ（WBG）半導体によって解決されつつあります。WBGデバイスは、シリコンよりも低い導通損失、高速スイッチング、高い動作温度、高い堅牢性を備えています。シリコンは依然として多くのアプリケーションでコスト効率の高い選択肢ですが、WBGテクノロジーは成熟しつつあり、コスト削減とSSCBへの幅広い採用が期待されています。
製品 & ソリューション
STは、先進的なソリッド･ステート回路ブレーカ（SSCB）の開発を加速するために、コンポーネントの完全な開発エコシステムを提供します。
- SiCやGaNのような最先端のワイド･バンドギャップ材料に加え、実績のあるシリコンIGBTやMOSFETを採用した広範なパワー･スイッチ･ポートフォリオにより、最適な性能と柔軟なコストを実現。
- STの汎用STM32マイクロコントローラが、精巧な制御と保護を可能にする。
- 最新のグリッドへのシームレスな統合を可能にする、幅広い有線およびワイヤレス･コネクティビティ･リューション。