1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode, available in TO-220AC, D²PAK and TO-247 LL, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • Operating from -40 °C to 175 °C
    • Low VF
    • ECOPACK®2 compliant

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TO-220AC

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パッケージ

DO247 LONG LEADS

梱包タイプ

Tube

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175

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11651
      1200 V power Schottky silicon carbide diode
      5.0
      465.59 KB
      PDF
      DS11651

      1200 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
      PDF
      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
      2.32 MB
      PDF
      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      6.0
      444.57 KB
      PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 6.0
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

プレゼンテーション & トレーニング資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide diode product presentation 1.0
      1,022.79 KB
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      Silicon-carbide diode product presentation

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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      Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC20H12D
Active
TO-220AC インダストリアル Ecopack2
STPSC20H12G-TR
Active
D2PAK インダストリアル Ecopack2
STPSC20H12WL
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DO247 LONG LEADS インダストリアル Ecopack2

STPSC20H12D

Package:

TO-220AC

Material Declaration**:

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TO-220AC

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STPSC20H12G-TR

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