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Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode

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  • The SiC diode is a high voltage power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Used as a freewheeling or output rectification diode, this rectifier will enhance the performance and form factor of the targeted power supply or inverter.

    主な特徴

    • No reverse recovery charge in application current range
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • AEC-Q101 qualified
    • PPAP capable
    • ECOPACK®2 compliant component

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      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
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      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
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      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
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      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
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      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STPSC40065C-Y Pspice model (.lib & .olb) 1.0
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC40065CWY
量産中
TO-247 Automotive Ecopack2

STPSC40065CWY

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

TO-247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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