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G-HEMT 650V GaN HEMT

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eDesignSuite

PowerGaN G-HEMT™ 650Vにより、STはSTPOWERパワー・トランジスタ・ファミリを拡張し、冷却SMDパッケージの上側、下側、および両側で利用できる、電力および周波数の高い要件を満たすよう設計された定格650Vのe-mode HEMT(本質的にノーマリ・オフの機器)が追加されました。

650V GaN HEMTの特徴

  • e-modeノーマリ・オフ・トランジスタ
  • 非常に低いキャパシタンス(QG総数がSi MOSFETの10分の1)
  • 逆回復電化量(Qrr)なし
  • 寄生効果を最小限に抑える革新的なパッケージ・テクノロジー
  • ゲート駆動を最適化するケルビン・ソース端子

650V GaN HEMTの主なアプリケーション

電力変換アプリケーションにおいて最高レベルの効率と電力密度、そして最適な熱特性を実現するよう設計されたG-HEMT™ 650Vシリーズは、サーバ、通信機器やデータ通信機器、アダプタ / チャージャ、ワイヤレス充電、オーディオ、およびeモビリティ(EV)市場といったコンスーマおよびインダストリアル・アプリケーションを対象としています。

自動車 産業用機器 パーソナル電子機器 通信機器
  • オンボード・チャージャ
  • 400V~12V DC-DCコンバータ
  • 48V~12V DC-DCコンバータ
  • トラクション・インバータ
  • 産業用駆動装置向けPSU
  • 太陽電池パネル
  • チャージャ
  • アダプタ
  • USB PD
  • コンスーマ向け電子機器の電源
  • 通信用PSU
  • データセンタおよびサーバ向けPSU