PowerGaN G-HEMT 650Vにより、STはSTPOWERパワー･トランジスタ･ファミリを拡張しました。冷却SMDパッケージの上側、下側、および両側で利用できる、高電力および高周波数アプリケーション向けの定格650Vのe-mode HEMT（本質的にノーマリ･オフの機器）を追加しました。
この製品ファミリは、単位面積あたりの非常に低いRDS(on)、高いブレークダウン電圧、ゼロ逆回復電荷、最小のゲート電荷、非常に低い固有容量により、RDS(on)·x Qg性能指数で同等のシリコン製品よりも優れた性能を実現しています。また、電力変換アプリケーションで受動部品を小型化することにより、効率とスイッチング性能を向上させ、より高い周波数動作と電力密度をもたらしています。
G-HEMT 650Vシリーズは、電力変換アプリケーションにおいて最高レベルの効率と電力密度、そして最適な熱特性を実現するよう設計されています。ソーラー･マイクロインバータ、サーバ、通信機器やデータ通信機器、アダプタ / チャージャ、ワイヤレス充電、オーディオ、自動車の電動化といったコンスーマおよび産業用アプリケーションに最適です。
アプリケーション
- パワーGaNは以下のアプリケーションに対応できます。
- 自動車の電動化（定格800Vのアプリケーションを含む）
- 脱炭素化（再生可能エネルギーの生成と保存）
- AI & ネットワーク（電源の高効率化とバッテリの長寿命化）
製品タイプ
容易に並列化できる超高速ゼロQrr e-mode HEMTは、非常に高い周波数および電力アプリケーションに最適です。きわめて低い寄生インダクタンスを持つ表面実装パッケージで提供されます。
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メリット
- より高い電界に対する耐性 → より高い電圧定格
- より高い電子の移動速度と飽和速度 → より高速なスイッチング
- はるかに小型のパッケージで、シリコン製品と同等の抵抗とブレークダウン電圧を実現
- 高効率の小型化されたシステム
注目ビデオ
Discover the latest STPOWER wide bandgap transistors
