G-HEMT 650V GaN HEMT

PowerGaN G-HEMT™ 650Vにより、STはSTPOWERパワー･トランジスタ･ファミリを拡張し、冷却SMDパッケージの上側、下側、および両側で利用できる、電力および周波数の高い要件を満たすよう設計された定格650Vのe-mode HEMT（本質的にノーマリ･オフの機器）が追加されました。

650V GaN HEMTの特徴

• e-modeノーマリ･オフ･トランジスタ
• 非常に低いキャパシタンス（Q_G総数がSi MOSFETの10分の1)
• 逆回復電化量（Q_rr）なし
• 寄生効果を最小限に抑える革新的なパッケージ･テクノロジー
• ゲート駆動を最適化するケルビン･ソース端子

650V GaN HEMTの主なアプリケーション

電力変換アプリケーションにおいて最高レベルの効率と電力密度、そして最適な熱特性を実現するよう設計されたG-HEMT™ 650Vシリーズは、サーバ、通信機器やデータ通信機器、アダプタ / チャージャ、ワイヤレス充電、オーディオ、およびeモビリティ（EV）市場といったコンスーマおよびインダストリアル･アプリケーションを対象としています。

自動車	産業用機器	パーソナル電子機器	通信機器
オンボード･チャージャ 400V～12V DC-DCコンバータ 48V～12V DC-DCコンバータ トラクション･インバータ	産業用駆動装置向けPSU 太陽電池パネル	チャージャ アダプタ USB PD コンスーマ向け電子機器の電源	通信用PSU データセンタおよびサーバ向けPSU