GaN
窒化ガリウム
革新的なパワー･
ソリューション
の構築に貢献
スイッチング･ロスの少ない高周波動作に
最適。
GaN
幅広いパワー･アプリケーションに最適
STのGaN製品は、電源やアダプタ（PC、モバイル機器、USBチャージャ、ワイヤレス･チャージャなど）、力率改善（PFC）、DC-DCコンバータなど、幅広いアプリケーションに最適です。車載アプリケーションでは、高効率のEV用オンボード・チャージャや、MHEV向けの低電圧DC-DCコンバータに適しています。
また、STのGaN技術は、STi²GaNをはじめとする集積型ソリューションにも最適です。
組込み2SPAKやPowerFLATパッケージなど、新たなパッケージ･コンセプトもGaN製品の開発においてきわめて重要です。きわめて低い内部寄生インダクタンスを備えたパッケージにより、高いスイッチング周波数に対応できるようになります。
GaNパワー半導体のメリット
GaNパワー半導体のメリット
GaN HEMTは、その優れた性能により、変換効率の向上、小型化、電力密度の大幅な向上に貢献します。
低オン抵抗 二次元電子ガス（2DEG）の高い電子移動度
高ブレークダウン電圧 ワイド･バンドギャップ（3.4 eV） & 高い臨界電界
低容量 & 低ゲート電荷
高い動作周波数
CMOS互換ラテラル･デバイス
双方向スイッチング･ダイオード OBCなどの回路トポロジに有用
GaN（窒化ガリウム）とは？
ワイド･バンドギャップ（WBG）半導体材料の1つであるGaN は、ガリウム（III族、Z=31）原子と窒素（V族、Z=7）1つずつで分子が形成され、基本的な六方晶（ウルツ鉱）構造を備えた二元化合物です。
