製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the MS series IGBTs. This series represents an evolution of the low-loss M series. The diode has very low conduction losses and very low reverse losses. These features make it ideal for battery chargers.
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All features
- AEC-Q101 qualified
- 8 μs of short-circuit withstand time at VCC = 800 V, VGE = 15 V, TJ (start) = 175 °C
- VCE(sat) = 1.95 V (typ.) @ IC = 40 A
- Tight parameter distribution
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Ultra low conduction losses
- Ultra-low reverse losses
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - GWA40MS120DLAG
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Footprints
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GWA40MS120DLAG | Active 交換品交換品 | TO-247 long leads | Automotive | Ecopack2 | 10 | 2026-05-29T00:00:00.000+02:00 | |
GWA40MS120DLAG
Package:
TO-247 long leadsMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| GWA40MS120DLAG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
GWA40MS120DLAG Active
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。