概要
ツール & ソフトウェア
リソース
ソリューション
品質 & 信頼性
Sales Briefcase
eDesignSuite
Get Started
サンプル & 購入
Partner products
  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

サンプル & 購入

製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
概算価格(USS)
Quantity
ECCN (US)
Country of Origin
販売代理店からオーダー
STからオーダー
STB13NM60N D2PAK Tape And Reel
NRND
- - EAR99 CHINA

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

STB13NM60N

パッケージ

D2PAK

梱包タイプ

Tape And Reel

Unit Price (US$)

*

製品ステータス

NRND

Unit Price (US$)

-

Quantity

-

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office  or our Distributors

推奨製品

推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

00 ファイルがダウンロード用に選択されています

技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS9429
      N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and DPAK packages
      3.0
      1.13 MB
      PDF
      DS9429

      N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and DPAK packages

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STB13NM60N PSpice model (.lib) 1.0
      1 KB
      ZIP

      STB13NM60N PSpice model (.lib)

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STB13NM60N
NRND
D2PAK インダストリアル Ecopack2

STB13NM60N

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

サポート & フィードバック