STB7ANM60N

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N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm typ., MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS9116
      Automotive-grade N-channel 600 V, 0.8 Ω typ., 5 A MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and DPAK packages
      3.0
      740.84 KB
      PDF
      DS9116

      Automotive-grade N-channel 600 V, 0.8 Ω typ., 5 A MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and DPAK packages

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STB7ANM60N PSpice model 1.0
      10.28 KB
      ZIP

      STB7ANM60N PSpice model

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB7ANM60N
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D2PAK Automotive Ecopack1

STB7ANM60N

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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