製品概要
概要
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
-
特徴
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
注目ビデオ
ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STD5N60M2
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
HW Models (2)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Jun 2018 | 01 Jun 2018 | |
| ZIP | 1.0 | 01 Jun 2018 | 01 Jun 2018 |
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 24 Feb 2016 | 24 Feb 2016 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（℃） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STD5N60M2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | DPAK | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STD5N60M2 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。