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N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.

    主な特徴

    • Extremely low gate charge
    • Excellent output capacitance (COSS) profile
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS9958
      N-channel 600 V, 1.3 Ω typ., 3.5 A, MDmesh™ M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages       		5.0
      540.71 KB
      		PDF
      DS9958

      N-channel 600 V, 1.3 Ω typ., 3.5 A, MDmesh™ M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter       		1.1
      1.35 MB
      		PDF
      		AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection       		1.0
      1.4 MB
      		PDF
      		AN4742
      MDmesh™ M2 EP: an additional improvement to MDmesh™ M2 ST Super-Junction Technology       		1.0
      1.29 MB
      		PDF
      		AN4406
      MDmesh™ M2: the new ST super-junction technology ideal for resonant topologies       		1.0
      652.78 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies       		1.0
      1.09 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      PDF
      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

      PDF
      AN4742

      MDmesh™ M2 EP: an additional improvement to MDmesh™ M2 ST Super-Junction Technology

      PDF
      AN4406

      MDmesh™ M2: the new ST super-junction technology ideal for resonant topologies

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      PDF
      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN5318

      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STD5N60M2 Application Circuit 1.0
      13.85 KB
      		ZIP
      		STD5N60M2 Evaluation Circuit 1.0
      34.33 KB
      		ZIP
      		STD5N60M2 PSpice model 1.0
      10.27 KB
      		ZIP

      STD5N60M2 Application Circuit

      ZIP

      STD5N60M2 Evaluation Circuit

      ZIP

      STD5N60M2 PSpice model

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      252.98 KB
      		PDF
      		500/650 V MDmesh M2 series: High Voltage Super-junction MOSFET 1.0
      253.8 KB
      		PDF
      		600/650 V MDmesh™ M2 1.0
      680.13 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF
      		STPOWER MOSFET MDmesh M2: 600 to 650 V ST’s super-junction HV MOSFET series 1.0
      707.88 KB
      		PDF
      		STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program 1.0
      246.09 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

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      STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD5N60M2
量産中
DPAK インダストリアル Ecopack2

STD5N60M2

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
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パッケージ
温度（℃） Country of Origin
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STD5N60M2 Available at 1 distributors

販売代理店在庫STD5N60M2

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MOUSER WORLDWIDE 2370 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-10

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MOUSER

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WORLDWIDE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-10

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量産中
EAR99 NEC Tape And Reel DPAK - - CHINA

STD5N60M2

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99
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販売代理店在庫STD5N60M2

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
MOUSER WORLDWIDE 2370 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-10

代理店名

MOUSER

在庫

2370

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-10

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

DPAK

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Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。