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These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
主な特徴
- AEC-Q101 qualified
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STD7ANM60N | 量産中 | DPAK | オートモーティブ | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD7ANM60N | 3 distributors | サンプル入手 | DPAK | Tape And Reel | 量産中 | EAR99 | CHINA |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
