Product overview
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
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All features
- AEC-Q101 qualified
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STD7ANM60N
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 31 May 2024 | 31 May 2024 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD7ANM60N | NRND 新規設計には推奨されません。製品は、お客様の継続的な生産をサポートするためだけに量産されています。 | DPAK | Automotive | Ecopack1 (*) | - | - | |
STD7ANM60N
Package:
DPAKMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD7ANM60N | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STD7ANM60N NRND
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。