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These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. These devices are well-suited for resonant or soft-switching applications.
主な特徴
- Lower on voltage drop (VCE(sat))
- Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
- Short-circuit withstand time 10 μs
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB10NC60KDT4 | 量産中 | 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT in a D2PAK package | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB10NC60KDT4 | 3 distributors | 購入 | D2PAK | Tape And Reel | 量産中 | EAR99 | CHINA | 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT in a D2PAK package | 0.968 / 1k |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
