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These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. These devices are well-suited for resonant or soft-switching applications.
主な特徴
- Lower on voltage drop (VCE(sat))
- Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
- Short-circuit withstand time 10 μs
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製品スペック (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 24 Oct 2020 |
24 Oct 2020
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アプリケーションノート (2)
| Resource title | Latest update | |||
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| 10 Jun 2015 |
10 Jun 2015
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| 07 Jan 2015 |
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フライヤー (1)
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| 04 May 2020 |
04 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGB10NC60KDT4
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB10NC60KDT4 |
量産中
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10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT in a D2PAK package | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | 4 distributors | Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | D2PAK | -55 | 150 | CHINA | 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT in a D2PAK package | 0.968 / 1k | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
