STGB30H60DFB

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Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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製品概要

概要

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGB30H60DFB

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STGB30H60DFB
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Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT D2PAK インダストリアル Ecopack2

STGB30H60DFB

Package:

Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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