Product overview
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the V series IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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All features
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Tail-less switching off
- VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGB40V60F
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | General Description | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB40V60F | Active 交換品交換品 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | D2PAK | Industrial | Ecopack2 | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | General Description | ||
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| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGB40V60F | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGB40V60F Active
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。