STGB40V60F

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

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製品概要

概要

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the V series IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Tail-less switching off
    • VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGB40V60F

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STGB40V60F
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed D2PAK インダストリアル Ecopack2

STGB40V60F

Package:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

Material Declaration**:

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Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

Package

D2PAK

Grade

Industrial

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