製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represents an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- 6 µs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
タイトル | バージョン | 更新日 |
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SPICE models (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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ZIP | 1.0 | 21 Mar 2016 | 21 Mar 2016 |
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STGF15M65DF2 | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | Country of Origin | 概要 | ||
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最小 | 最大 | ||||||||||||||
STGF15M65DF2 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss | | CHINA | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。