製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- 10 μs of short-circuit withstand time
- VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 40 A
- Tight parameters distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and fast recovery antiparallel diode
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGW40M120DF3
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フットプリント
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGW40M120DF3 | 量産中 | TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STGW40M120DF3 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | -55 | 175 | CHINA | | ||
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。