STGW60V60DF

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

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製品概要

概要

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the V series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Tail-less switching off
    • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGW60V60DF

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STGW60V60DF
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW60V60DF

Package:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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