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The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
特徴
- Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
- Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
- Very fast and soft recovery co-packaged diode
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
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製品スペック (1)
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| 30 Apr 2020 |
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アプリケーションノート (3)
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| 03 Apr 2020 |
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フライヤ (5)
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| 22 May 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGWA20H65DFB2
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Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGWA20H65DFB2 |
量産中
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package | TO-247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 |
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STGWA20H65DFB2
Package:
Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packageMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGWA20H65DFB2 | 4 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-247 long leads | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package | |||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
