STGWA25M120DF3

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Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 10 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 25 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft- and fast-recovery antiparallel diode

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12637
      Trench gate field-stop, 1200 V, 25 A, low-loss, M series IGBT in a TO-247 long leads package
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      Trench gate field-stop, 1200 V, 25 A, low-loss, M series IGBT in a TO-247 long leads package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      Trench gate field-stop IGBT 1200V M series

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWA25M120DF3
量産中
TO-247 long leads Industrial Ecopack2

STGWA25M120DF3

Package:

TO-247 long leads

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TO-247 long leads

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Industrial

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Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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