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Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
    • Tight parameter distribution
    • Co-packed diode for protection
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

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Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT

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      DS11324
      Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
      3.0
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      DS11324

      Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

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      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWT40HP65FB
量産中
Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT TO-3P Industrial Ecopack2

STGWT40HP65FB

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT

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量産中

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT

Package

TO-3P

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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