STL3NM60N

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N-channel 600 V, 1.5 Ohm, 2.2 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 HV package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

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推奨製品

推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS8889
      N-channel 600 V, 1.5 Ω, 2.2 A MDmesh™ II Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3 x 3.3 HV package
      2.0
      860.22 KB
      PDF
      DS8889

      N-channel 600 V, 1.5 Ω, 2.2 A MDmesh™ II Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3 x 3.3 HV package

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STL3NM60N PSpice model 1.0
      4.16 KB
      ZIP

      STL3NM60N PSpice model

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL3NM60N
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POWERFLAT 3.3X3.3 HV インダストリアル Ecopack2

STL3NM60N

Package:

POWERFLAT 3.3X3.3 HV

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

POWERFLAT 3.3X3.3 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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