STN3P10F6

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P-channel -100 V, 0.136 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 package

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製品概要

概要

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STN3P10F6

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STN3P10F6
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SOT-223 インダストリアル Ecopack2

STN3P10F6

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

SOT-223

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。