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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STN3P10F6 SOT-223 Tape And Reel
Active
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STN3P10F6

パッケージ

SOT-223

梱包タイプ

Tape And Reel

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製品ステータス

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EAR99

Country of Origin

CHINA

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    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12236
      P-channel -100 V, 0.136 Ω typ., -3 A STripFET™ F6 Power MOSFET in an SOT-223 package
      2.0
      608.72 KB
      PDF
      DS12236

      P-channel -100 V, 0.136 Ω typ., -3 A STripFET™ F6 Power MOSFET in an SOT-223 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STN3P10F6
Active
SOT-223 インダストリアル Ecopack2

STN3P10F6

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

SOT-223

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.