STPOWER GaNトランジスタ

STPOWER GaNトランジスタは、比較的新しいワイド･バンドギャップ化合物であるGaN（窒化ガリウム）をベースにした高効率トランジスタで、電力変換ソリューションに付加価値を提供します。

今日のパワー･エレクトロニクスが挑む重要な課題は、効率性と電源性能の向上に対する高まるニーズに応えると同時に、さらなる低コストと小型化を実現することです。

GaN（窒化ガリウム）テクノロジーの導入はこれらを実現するための動きであり、商用化が進むにつれて電力変換アプリケーションでの使用も増大しています。 

同等のシリコン製品よりも優れた性能指数（FOM）、低いオン抵抗（RDS(on)）と総ゲート電荷量（QG）を備えたGaNパワー･トランジスタは、高いドレイン･ソース間電圧特性を提供し、逆回復電荷ゼロ（カスコード･デバイスの場合はきわめて微量）と非常に低い固有容量も実現します。電力変換アプリケーションの効率向上に向けた最先端のソリューションであるGaNテクノロジーは、さらに高い周波にて動作可能で、非常に高い電力密度を実現しながら厳しいエネルギー要件を満たすことができ、システムの小型化が可能となります。STPOWER GaNトランジスタは、産業用および車載用アプリケーションにおいて、高効率および高周波ソリューションを提供します。

GaNトランジスタのメリット

高効率	高電力密度	電力の変革
環境に優しい	製品の小型化	スマート設計

STPOWER GaN e-modeトランジスタ製品ポートフォリオ

• GaN e-modeトランジスタ
  「ノーマリ･オフ」のp-GaNゲートe-modeトランジスタは、逆回復電荷ゼロを実現するため、超高周波のアプリケーションに最適です。STのG-HEMT™シリーズは、650Vおよび100Vのドレイン･ソース間電圧定格で提供予定です。STのG-HEMT™ 650V GaN HEMTの製品ポートフォリオをご確認ください。