STは、STPOWER STripFET F8テクノロジーの導入により、低電圧MOSFETのポートフォリオを拡張しました。
このAEC-Q101認定済みテクノロジーは、30V～150Vの幅広いパッケージ･ソリューションを提供することで、非常に高い電力密度ソリューションのあらゆる要件に対応します。
STripFET F8テクノロジーは、ボディ･ダイオードのプロパティを最適化しながら、オン抵抗とスイッチング損失の両方を低減することで、エネルギーを節約し、電力変換、モータ制御、配電回路の低ノイズ化を実現します。
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産業用および車載用のMOSFETを含む幅広いSTripFET F8ポートフォリオ
STripFET F8シリーズは、40Vおよび100VパワーMOSFETで構成されており、産業用グレードと車載用グレードの両方が用意されています。これらのデバイスは、極めて低いR_(DS(on))とコンパクトなパワー･パッケージを組み合わせることで、優れた堅牢性と信頼性を確保しながら、スペースに制約があるシステム向けの大電流パワー･ディストリビューション、モータ制御、バッテリ･マネージメント･ソリューションを実現します。STL059N4S8AGは、新しいSmart STripFET F8テクノロジーにより、導通性能とチップ面積がさらに最適化されています。コンパクトなPowerFLAT 5x6パッケージで極めて低いR_(DS(on))が特徴で、最大動作温度175℃に対応し、車載用グレードの堅牢性を備えているため、導通損失が最も重要で、高速スイッチングが不要な大電流パワー･ディストリビューションおよびBMSアプリケーションに最適です。
アプリケーション
これらのNチャネル低電圧MOSFETは、システム設計を簡素化し、車載用、コンピュータ & 周辺機器、データ･センター、通信、太陽光発電システム、電源 & コンバータ、バッテリ･チャージャ、家庭用 & 業務用電気製品、ゲーム、ドローンなどのアプリケーションで効率を向上させます。
製品タイプ
STの先進的なSTripFET F8テクノロジーは、デバイス静電容量が低いため、ゲート･ドレイン間電荷などの動的パラメータを最小限に抑えることができます。これにより、高速スイッチングが可能になり、高いシステム効率が実現されます。設計者は、STripFET F7テクノロジーよりも高いスイッチング周波数を選択できるため、容量性部品や磁気部品を小型化することができます。その結果、回路サイズや部材コストの削減を実現できると同時に、最終アプリケーションの電力密度が向上します。
Smart STripFET F8デバイスは、極めて低いR_(DS(on))や、PowerFLAT 5x6などのコンパクトなパッケージに最適化されたバリエーションにより、このポートフォリオを補完する製品で、実装面積に制約がある車載システムの大電流パワー･ディストリビューションやバッテリ･マネージメント･アプリケーションに最適な選択肢です。
メリット
- 効率向上および小型化に貢献するきわめて低い伝導損失
- 低EMIエミッション
- ボディ･ダイオードのソフト･リカバリおよび低ゲート･ドレイン間電荷により、優れたスイッチング動作を確保
- ゲート閾値電圧の厳密な制御により、並列接続を容易化
- パッケージ･ソリューションの小型化を実現