STW45NM50

量産中

N-channel 500 V, 0.08 Ohm ty., 45 A MDmesh Power MOSFET in a TO-247 package

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  • This N-channel Power MOSFET is developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. This device offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • High dv/dt and avalanche capabilities
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2610
      N-channel 500 V, 0.08 Ω typ., 45 A MDmesh™ Power MOSFET in a TO-247 package
      6.0
      711.78 KB
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      DS2610

      N-channel 500 V, 0.08 Ω typ., 45 A MDmesh™ Power MOSFET in a TO-247 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW45NM50 PSpice model (.lib) 1.0
      642 Byte(s)
      ZIP

      STW45NM50 PSpice model (.lib)

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      252.98 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW45NM50
量産中
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STW45NM50

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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製品ステータス
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DIGIKEY WORLDWIDE 33 1 発注する
RS COMPONENTS EUROPE 1687 1 発注する
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ARROW AMERICA 436 600 発注する
MOUSER WORLDWIDE 833 1 発注する
Farnell Element14 EUROPE 2993 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-03

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EAR99 NEC Tube TO-247 -55 150 CHINA

STW45NM50

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EAR99

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DIGIKEY WORLDWIDE 33 1 発注する
RS COMPONENTS EUROPE 1687 1 発注する
AVNET AMERICA 300 0 発注する
ARROW EUROPE 1130 0 発注する
ARROW AMERICA 436 600 発注する
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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小)

-55

(最大)

150

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Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。