STW65N60DM6

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N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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  • These high-voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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技術文書

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      DS12314
      N-channel 600 V, 60 mΩ typ., 38 A MDmesh™ DM6 Power MOSFETs in TO‑247 and TO‑247 long leads packages
      2.0
      516.74 KB
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      DS12314

      N-channel 600 V, 60 mΩ typ., 38 A MDmesh™ DM6 Power MOSFETs in TO‑247 and TO‑247 long leads packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW65N60DM6 pSpice Model 1.0
      5.45 KB
      ZIP

      STW65N60DM6 pSpice Model

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW65N60DM6
量産中
TO-247 Industrial Ecopack2

STW65N60DM6

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください