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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

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STW70N65DM6-4 TO247-4 Tube
量産中
EAR99 - 10.49

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STW70N65DM6-4

パッケージ

TO247-4

梱包タイプ

Tube

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS13144
      N-channel 650 V, 36 mO typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
      1.2
      441.88 KB
      PDF
      DS13144

      N-channel 650 V, 36 mO typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
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      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
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      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
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      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW70N65DM6-4 Pspice Model 1.0
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      ZIP

      STW70N65DM6-4 Pspice Model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
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      600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness 1.0
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW70N65DM6-4
量産中
TO247-4 Industrial Ecopack2

STW70N65DM6-4

Package:

TO247-4

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO247-4

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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