STWA65N023M9

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N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads package

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製品概要

概要

This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

  • 特徴

    • Worldwide best FOM RDS(on)*Qg among silicon-based devices
    • Higher VDSS rating
    • Higher dv/dt capability
    • Excellent switching performance
    • Easy to drive
    • 100% avalanche tested

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STWA65N023M9

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STWA65N023M9
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TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STWA65N023M9

Package:

TO-247 long leads

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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