製品概要
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.-
特徴
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
注目ビデオ
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
All tools & software
All resources
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製品スペック (1)
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| 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |
アプリケーションノート (4)
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| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
技術ノート & 解説 (1)
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| 13 Nov 2016 | 13 Nov 2016 |
ユーザ･マニュアル (1)
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| 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
フライヤ (3)
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| 22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | |||
| 05 Jun 2020 | 05 Jun 2020 | |||
| 08 May 2020 | 08 May 2020 |
パンフレット (1)
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| 15 Jun 2018 | 15 Jun 2018 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STY100NM60N
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STY100NM60N | 量産中 | Max247 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STY100NM60N | 3 distributors | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | Max247 | - | - | CHINA | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
