STは、400Mbit/s LVDSドライバ、レシーバ、シリアライザ / デシリアライザおよびクロスポイント･スイッチを含む耐放射線性LVDS製品を提供しています。-4V～+5Vのきわめて広い入力同相電圧範囲、および最大8kVのESDプロテクションを備えています。また、すべての製品がコールドスペアおよびフェイルセーフ機能に対応しています。
STの耐放射線設計ルールに基づいて設計され、実績のあるCMOS技術によって製造されているため、全放射線量（TID）最大300krad（Si）の耐性を備えています。STの耐放射線LVDSシリーズは、最大135MeV.cm2/mgのシングルイベント･ラッチアップ（SEL）に対する耐性があり、シングルイベント過渡現象に対する優れた特性を備えているため、衛星アプリケーションの要件にも対応可能です。
STの耐放射線性LVDSは、ハーメチック･セラミック･パッケージで提供され、最も厳しい耐放射線規格を満たし、QML-VおよびEPPL認定済みです。
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- 耐放射線性LVDS
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