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STの耐放射線LVDSシリーズは400Mbit/s LVDSのドライバ、レシーバ、シリアライザ/デシリアライザおよびクロスポイント・スイッチを取り揃え、-4V ~ +5Vの非常に広い入力同相電圧範囲と最大8kVのESD耐圧を実現しています。すべての製品がコールドスペアに対応し、フェイルセーフにて使うことができます。

STの耐放射線設計ルールに基づいて設計され、実績のあるCMOS技術によって製造されているため、全放射線量(TID)最大300krad(Si)の耐性を備えています。STの耐放射線LVDSシリーズは、最大135MeV.cm²/mgのシングルイベント・ラッチアップ(SEL)に対する耐性があり、シングルイベント過渡現象に対するクラス最高の特性を備えることで、衛星アプリケーションの要件も満足します。

STのLVDSシリーズは、ハーメチック・セラミック・パッケージで提供され、最も厳しい耐放射線規格とQML-VおよびEPPLの認定基準を満たしています。

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