耐放射線性LVDS

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STは、400Mbit/s LVDSドライバ、レシーバ、シリアライザ / デシリアライザおよびクロスポイント・スイッチを含む耐放射線性LVDS製品を提供しています。-4V~+5Vのきわめて広い入力同相電圧範囲、および最大8kVのESD耐性を備えています。また、すべての製品がコールドスペアおよびフェイルセーフ機能に対応しています。

STの耐放射線設計ルールに基づいて設計され、実績のあるCMOS技術によって製造されているため、全放射線量(TID)最大300krad(Si)の耐性を備えています。STの耐放射線LVDSシリーズは、最大135MeV.cm2/mgのシングルイベント・ラッチアップ(SEL)に対する耐性があり、シングルイベント過渡現象に対する優れた特性を備えているため、衛星アプリケーションの要件にも対応可能です。

STの耐放射線性LVDSは、ハーメチック・セラミック・パッケージで提供され、最も厳しい耐放射線規格を満たし、QML-VおよびEPPL認定済みです。

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