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パワー・コンバータ回路に高電圧SiCダイオードを使用することにより、従来の設計から効率と電力密度が大幅に改善されます。

STは、クラス最高の順電圧降下(VF)とサージ耐性(IFSM)の2つのトレードオフを備えた650Vと1200Vのダイオードを開発し、2次側整流回路機能にとって重要となる導通損失およびダイオード接合部温度の大幅な低減を実現しました。
1次側整流回路の力率改善(PFC) )用途の場合、ダイオードは直接交流電源に接続されます。STは、確かな堅牢性をもつSiCダイオードによって、AEC-Q101規格に準拠したオートモーティブ・グレードのSiCデバイス初のサプライヤとなりました。また、低VFと高サージ耐性の改良が堅牢性の向上につながり、パワー・コンバータの効率と信頼性が向上しています。

STのオートモーティブ・グレードの650Vダイオード・シリーズは、6A~40Aの電流定格範囲をもち、TO-220、TO-220ACIns、DO-247、TO-247、I²PAK、D²PAKおよびDPAKパッケージで提供されます。また、超低VFおよび高IFSMシリーズのオートモーティブ・グレードの1200Vデバイスは10A~20Aの範囲をもち、TO-220およびD²PAKパッケージで提供されます。

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1200 V SiC automotive-grade diodes with the lowest forward voltage drop ever

The new AEC-Q101 1200 V SiC diodes – 10-, 15- and 20-amp rated – are ideal for use in high-power applications such as charging stations, OBC, power supplies, and motor drives. Their surge capability for a 10 ms pulse is in the range of 7 times the diodes’ nominal current, and confers these 1200 V silicon-carbide diodes the state-of-the-art robustness. With a typical forward voltage drop (V F) of 1.35 V at nominal current and room temperature, they set the highest level/standard on the market. Available in D²PAK and TO-220AC packages, the STPSC10H12-Y, STPSC15H12-Y and STPSC20H12-Y fulfill the automotive robustness and performance requirements.

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