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パワー・マネージメント Minimize menu

GaNドライバ

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eDesignSuite

STDRIVE® GaNゲート・ドライバは、エンハンスメント型GaN FETまたはNチャネル・パワーMOSFET向けのハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。

ハイサイド・セクションは、600Vまでの電圧に耐えられるよう設計されており、最大500Vのバス電圧を用いた設計に適しています。大電流容量、短い伝搬遅延時間、および最低5Vの電源電圧で動作できる特徴を備えており、高速GaNやSi FETの駆動用に設計されています。

また、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部に減電圧ロックアウト(UVLO)機能が搭載されているため、効率の低い状態や危険な状態ではパワー・スイッチが動作しません。また、インターロック機能により、貫通電流を防止します。ロジック入力は、3.3VまでのCMOS/TTLに対応し、マイクロコントローラやDSPと簡単に接続することができます。