TD350E

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Advanced IGBT/MOSFET driver

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製品概要

概要

The TD350E device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.

The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.

The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.

The device also includes IGBT desaturation protection and a FAULT status output, and is compatible with both pulse transformer and optocoupler signals.

  • 特徴

    • 1.5 A source/2.3 A sink (typ.) gate drive
    • Active Miller clamp feature
    • Two-level turn-off with adjustable level and delay
    • Desaturation detection
    • Fault status output
    • Negative gate drive capability
    • Input compatible with pulse transformer or optocoupler
    • Separate sink and source outputs for easy gate driving
    • UVLO protection
    • 2 kV ESD protection (HBM)

回路ダイアグラム

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - TD350E

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3D model

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製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
TD350E
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SO-14 インダストリアル Ecopack2
TD350ETR
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SO-14 インダストリアル Ecopack2

TD350E

Package:

SO-14

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Package

SO-14

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

TD350ETR

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SO-14

Grade

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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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梱包タイプ:
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Operating Temperature (°C)

最小:

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。