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This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
特徴
- High speed switching performance
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitances
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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07 Aug 2020 |
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アプリケーションノート (3)
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03 Apr 2020 |
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15 Jul 2019 |
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13 Sep 2018 |
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技術ノート & 解説 (2)
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03 Apr 2020 |
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22 Sep 2020 |
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ユーザ・マニュアル (1)
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21 Oct 2016 |
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フライヤ (5)
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08 May 2020 |
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22 Jul 2020 |
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14 Oct 2020 |
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15 May 2020 |
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23 Mar 2020 |
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パンフレット (1)
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カンファレンス・ペーパー (5 of 7)
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23 Jul 2018 |
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25 Jul 2018 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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SCT1000N170 |
量産中
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HIP247 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
SCT1000N170 |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | HIP247 | - | - | CHINA |
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。