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SCT1000N170

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Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ohm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

主な特徴
- High speed switching performance
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitances
- Very high operating junction temperature capability (T_J = 200 °C)
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製品スペック (1)

	Resource title		Latest update
PDF	DS11177 Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ω (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 3.0		25 Sep 2020	25 Sep 2020 DS11177 Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ω (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 3.0

アプリケーションノート (3)

	Resource title	Latest update
PDF	AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1	21 Aug 2015	21 Aug 2015 AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1
PDF	AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0	15 Jul 2019	15 Jul 2019 AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0
PDF	AN3152 The right technology for solar converters 1.4	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN3152 The right technology for solar converters 1.4

テクニカル･ノート & 技術解説 (2)

	Resource title		Latest update
PDF	TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2		23 Feb 2015	23 Feb 2015 TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2
PDF	TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0		22 Sep 2020	22 Sep 2020 TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0

ユーザマニュアル (1)

	Resource title		Latest update
PDF	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3		21 Oct 2016	21 Oct 2016 UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3

フライヤー (5)

	Resource title	Latest update
PDF	ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0	08 May 2020	08 May 2020 ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
PDF	STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0	22 Jul 2020	22 Jul 2020 STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
PDF	STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0	14 Oct 2020	14 Oct 2020 STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0
PDF	SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.0	15 May 2020	15 May 2020 SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.0
PDF	SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0

パンフレット (1)

	Resource title		Latest update
PDF	Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1		23 Mar 2020	23 Mar 2020 Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1

カンファレンスペーパー (5 of 7)

	Resource title	Latest update
PDF	3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
PDF	Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
PDF	Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0	25 Jul 2018	25 Jul 2018 Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
PDF	SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0	25 Jul 2018	25 Jul 2018 SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
PDF	Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
PDF	Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
PDF	Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

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HWモデル、CADライブラリ & SVD (1)

	Resource title		Latest update
ZIP	SCT1000N170 Pspice Model 1.0		30 Jul 2020	30 Jul 2020 SCT1000N170 Pspice Model 1.0

品質 & 信頼性

製品型番	Marketing Status	パッケージ	グレード	RoHSコンプライアンスグレード	材料宣誓書**
SCT1000N170	量産中	HIP247	インダストリアル	Ecopack2

SCT1000N170

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Marketing Status

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番

販売代理店からオーダー

STからオーダー

製品ステータス

ECCN (US)

ECCN (EU)

梱包タイプ

パッケージ

温度（℃）

Country of Origin

Budgetary Price (US$)*/Qty

最小

最大

SCT1000N170

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販売代理店在庫SCT1000N170

代理店名	地域	在庫	最小発注	パートナー企業リンク
ARROW	EUROPE	210	0	発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-10-25

代理店名

ARROW

在庫

210

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地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-10-25

EAR99

NEC

Tube

HIP247

CHINA

SCT1000N170

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

詳細情報

Budgetary Price (US$)*/Qty

販売代理店在庫SCT1000N170

代理店名	地域	在庫	最小発注	パートナー企業リンク
ARROW	EUROPE	210	0	発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-10-25

代理店名

ARROW

在庫

210

Min.Order

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-10-25

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小)

(最大)

Budgetary Price (US$)* / Qty

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CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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