STD65N160M9

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Nチャネル650V、132mΩ(Typ.)、20A MDmesh M9パワーMOSFETをDPAKパッケージで提供

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製品概要

概要

本Nチャネル・パワーMOSFETは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh™ M9テクノロジーを採用しており、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。シリコン・ベースのMDmesh™ M9テクノロジーは、マルチドメイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造に対応しています。そのため、オン抵抗とゲート電荷値が低いシリコン・ベースの高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETを備えた製品の製造が可能で、特に優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーションに最適です。

  • 特徴

    • シリコン・ベースのデバイスの中でも世界最良クラスのFOM RDS(on)*Qg
    • 高いVDSS定格
    • 高いdV/dt特性
    • 優れたスイッチング性能
    • シンプルなゲート駆動
    • 100%アバランシェ試験済み
    • ツェナー・ダイオードによる保護

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STD65N160M9

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3D model

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD65N160M9
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DPAK インダストリアル Ecopack2

STD65N160M9

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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