Product overview
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field‑stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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All features
- 6 µs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
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SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 Jul 2016 | 22 Jul 2016 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | General Description | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB4M65DF2 | Active 交換品交換品 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | D2PAK | Industrial | Ecopack2 | - | - | |
STGB4M65DF2
Package:
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low lossMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | General Description | ||
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| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGB4M65DF2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
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STGB4M65DF2 Active
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。