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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

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STGB4M65DF2 D2PAK Tape And Reel
量産中
EAR99 CHINA Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss 1.19 在庫チェック

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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

概要

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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    • 製品型番

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技術文書

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      DS11391
      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
      4.0
      1.13 MB
      PDF
      DS11391

      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      STGB4M65DF2 PSpice model

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB4M65DF2
量産中
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss D2PAK Industrial Ecopack2

STGB4M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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