STGH30H65DFB-2AG

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Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • High-speed switching series
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
    • Safer paralleling
    • Tight parameter distribution
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGH30H65DFB-2AG

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製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGH30H65DFB-2AG
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Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package H2PAK-2 オートモーティブ Ecopack1

STGH30H65DFB-2AG

Package:

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

General Description

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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梱包タイプ:
RoHS:
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ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

STGH30H65DFB-2AG

Operating Temperature (°C) (max):

175

概要:

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package

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