STGW40H120DF2

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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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製品概要

概要

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A
    • 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ=150 °C
    • Safe paralleling
    • Very fast recovery antiparallel diode
    • Low thermal resistance

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    • 製品型番
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      STPOWER IGBT Finder

      概要:

      STPOWER IGBT finder mobile app for tablets and smartphones

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STGW40H120DF2

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW40H120DF2
量産中
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW40H120DF2

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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製品型番
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STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Country of Origin
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最小
最大
STGW40H120DF2

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量産中
EAR99 NEC Tube TO-247 -55 175 CHINA 4.5 / 1k

STGW40H120DF2

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

4.5 / 1k

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小)

-55

(最大)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

4.5 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。