STGW60H65FB

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 1.6 V (typ.) @ IC= 60 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGW60H65FB

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW60H65FB
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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW60H65FB

Package:

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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