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Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

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概要

Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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      AN4694
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      IGBT datasheet tutorial
      1.1
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      Introduction to the new fast 650 V HB2 IGBT series on a two‑switch forward welding equipment
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW80H65DFB
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Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT TO-247 Industrial Ecopack2

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Package:

Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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General Description

Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください