STGWA15M120DF3

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Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 10 μs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 15 A
    • Tight parameters distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and fast recovery antiparallel diode

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技術文書

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      DS10299
      Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
      2.0
      1.02 MB
      PDF
      DS10299

      Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

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      AN4929
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STGWA15M120DF3 PSpice model 1.0
      9.9 KB
      ZIP

      STGWA15M120DF3 PSpice model

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      Trench gate field-stop IGBT 1200V M series

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGWA15M120DF3
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TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGWA15M120DF3

Package:

TO-247 long leads

Material Declaration**:

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TO-247 long leads

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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