製品概要
概要
The new reverse-conducting IGBT 650 V has been developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure with monolithic integrated body diode, whose performances are optimized both in conduction and switching losses for soft commutation.
The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching applications.
-
特徴
- Designed for soft-commutation only
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- VCE(sat) = 1.45 V (typ.) @ IC = 50 A
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Monolithic integrated diode with low voltage drop
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STGWA50IH65R
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA50IH65R | 量産中 交換品交換品 | Reverse-conducting 650 V, 50 A, soft-switching IHR series IGBT in a TO-247 long leads package | TO-247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 | 10 | 2026-04-15T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包形態 | RoHS | 原産国 | ECCN（米国） | ECCN（EU） | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
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| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGWA50IH65R | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGWA50IH65R 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。