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Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring free-wheeling SiC diode

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the V series IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    Co-packed with the IGBT a silicon carbide diode has been adopted: no recovery is shown at turn-off of the SiC diode and the already minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A
    • Tail-less switching current
    • Tight parameter distribution
    • Low thermal resistance
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Silicon carbide diode with no-reverse recovery charge is co-packaged in freewheeling configuration

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Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring free-wheeling SiC diode

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STGWA60V60DWFAG
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Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring free-wheeling SiC diode TO-247 long leads Automotive Ecopack2

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Package:

Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring free-wheeling SiC diode

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring free-wheeling SiC diode

Package

TO-247 long leads

Grade

Automotive

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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