STGYA75H120DF2

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Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 5 μs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Very fast recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGYA75H120DF2

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STGYA75H120DF2
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Max247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGYA75H120DF2

Package:

Max247 long leads

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Package

Max247 long leads

Grade

Industrial

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Ecopack2

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