STL110N10F7

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N-channel 100 V, 5 mOhm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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STL110N10F7 PowerFLAT 5x6 Tape And Reel
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パッケージ

PowerFLAT 5x6

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS9392
      N-channel 100 V, 5 mΩ typ., 107 A, STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package
      5.0
      701.51 KB
      PDF
      DS9392

      N-channel 100 V, 5 mΩ typ., 107 A, STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

    • 概要 Version Size Action
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
      1,006.7 KB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

    • 概要 Version Size Action
      AN5430
      The STUSB4761 PCB routing guidelines
      1.1
      396.92 KB
      PDF
      AN5430

      The STUSB4761 PCB routing guidelines

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      676.32 KB
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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    • 概要 Version Size Action
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL110N10F7
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PowerFLAT 5x6 Industrial Ecopack2

STL110N10F7

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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