製品概要
概要
本Nチャネル･パワーMOSFETは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh™ M9テクノロジーを採用しており、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。シリコン･ベースのM9テクノロジーは、マルチドメイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造に対応しています。そのため、オン抵抗とゲート電荷値が低いシリコン･ベースの高速スイッチング･スーパージャンクション･パワーMOSFETを備えた製品の製造が可能で、特に優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーションに最適です。
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特徴
- シリコン･ベースのデバイスの中でも世界最良クラスのFOM RDS(on)*Qg
- 高いVDSS定格
- 高いdV/dt特性
- 優れたスイッチング性能
- シンプルなゲート駆動
- 100%アバランシェ試験済み
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STP65N045M9
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EDAシンボル
フットプリント
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 16 Feb 2022 | 16 Feb 2022 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP65N045M9 | 量産中 | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
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| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STP65N045M9 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | - | - | CHINA | | ||
distributors
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。