STP65N045M9

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Nチャネル650V、39mΩ(Typ.)、55A MDmesh™ M9パワーMOSFETをTO-220パッケージで提供

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製品概要

概要

本Nチャネル・パワーMOSFETは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh™ M9テクノロジーを採用しており、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。シリコン・ベースのM9テクノロジーは、マルチドメイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造に対応しています。そのため、オン抵抗とゲート電荷値が低いシリコン・ベースの高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETを備えた製品の製造が可能で、特に優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーションに最適です。

  • 特徴

    • シリコン・ベースのデバイスの中でも世界最良クラスのFOM RDS(on)*Qg
    • 高いVDSS定格
    • 高いdV/dt特性
    • 優れたスイッチング性能
    • シンプルなゲート駆動
    • 100%アバランシェ試験済み

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STP65N045M9

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

Symbols

EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP65N045M9
量産中
TO-220 インダストリアル Ecopack2

STP65N045M9

Package:

TO-220

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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製品型番
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製品ステータス
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パッケージ
温度(℃) Country of Origin
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販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク

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販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tube TO-220 - - CHINA

STP65N045M9 量産中

パッケージ:
TO-220
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

製品型番:

STP65N045M9

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tube

Operating Temperature (°C)

最小:

-

最大:

-

Country of Origin:

CHINA

販売代理店

販売代理店在庫データ:

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。